文件名称：论文研究-基于微波退火技术制备的高性能短沟道金属源漏Ge pMOSFET .pdf
文件大小：657KB
文件格式：PDF
更新时间：2022-09-05 08:47:50
微电子
基于微波退火技术制备的高性能短沟道金属源漏Ge pMOSFET，赵毅，，采用了微波退火技术制备得到了高性能的超浅NiGe/n-Ge肖特基结，并研究探讨了不同退火技术对肖特基结电学性能的影响。实验结果表明，
论文研究-基于微波退火技术制备的高性能短沟道金属源漏Ge pMOSFET .pdf
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