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文件名称：具有超高耐压(>1200 V)的薄埋氧层BPL SOI LDMOS* (2012年)
文件大小：390KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-05-10 10:30:41
工程技术 论文
摘 要：为了在薄埋氧层SOI衬底上实现超高耐压LDMOS铺平道路，提出了一种具有P埋层(BPL)的薄埋氧层SOI LDMOS结构，耐压1200V以上。该BPL SOI LDMOS在传统SOI LDMOS的埋氧层和N型漂移区之间引入了一个P型埋层。当器件正向截止时，N型漂移区与P埋层之间的反偏PN结将承担器件的绝大部分纵向压降。采用2维数值仿真工具Silvaco TCAD对 BPL SOI LDMOS进行虚拟制造和器件仿真，结果表明该结构采用适当的参数既能实现1280 V的耐压，将BOL减薄到几百纳米以下又