漂移区槽氧高压SOI-LDMOS器件模型 (2009年)

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文件名称：漂移区槽氧高压SOI-LDMOS器件模型 (2009年)
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更新时间：2021-04-28 10:56:04
自然科学 论文 为了获得SOI-LDMOS器件耐压和比导通电阻的良好折衷, 提出了一种漂移区槽氧SOI-LDMOS高压器件新结构. 利用漂移区槽氧和栅、漏场板优化横向电场提高了横向耐压和漂移区的渗杂浓度. 借助二维仿真软件对该器件的耐压和比导通电阻特性进行了研究, 结果表明该器件与常规SOI-LDMOS结构相比在相同漂移区长度下耐压提高了31%, 在相同耐压下比导通电阻降低了34.8%.