文件名称：SOI RESURF器件高压互连线效应的二维解析模型 (2008年)
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更新时间：2024-05-17 17:48:40
自然科学 论文
高压互连线效应是影响集成功率器件性能的重要因素之一。首先提出一个高压互连线效应对 SOI横向高压器件的漂移区电势和电场分布影响的二维解析模型,进而得到漂移区在不完全耗尽 和完全耗尽情况下的器件击穿电压解析表达式,而后利用所建立的模型,研究器件结构参数对击穿 特性的影响规律,定量揭示在高压互连线作用下器件击穿多生在阳极 PN结的物理本质,指出通过 优化场氧厚度可以弱化高压互连线对器件击穿的负面影响,并给出用于指导设计的理论公式。模 型的正确性通过半导体二维器件仿真软件 MEDICI进行了验证。