文件名称：RF磁控溅射法在Si衬底上生长ZnO薄膜界面的XPS研究 (2003年)
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更新时间：2024-05-28 21:17:16
自然科学 论文
采用RF磁控溅射方法在Si衬底上生长ZnO薄膜。XRD测量结果表明，ZnO薄膜为c轴择优取向生长的。对ZnO薄膜进行了XPS深度剖析及测试。测试结果表明，在未达到界面时ZnO均符合正化学计量比，是均匀的单相膜，表明该方法具有较好的成膜特性。在界面处，Zn的俄歇修正型的化学位移及俄歇峰峰型的变化、Zn2p3/2与ZnLMM峰积分面积比值的变化、Si2p峰的非对称性，均表明Si与ZnO的界面处有明显的成键作用。在界面处，n型Si反型为p型。