MOCVD方法在Cu/Si(111)基板上生长ZnO薄膜 (2006年)

时间:2024-06-13 13:51:56
【文件属性】:

文件名称:MOCVD方法在Cu/Si(111)基板上生长ZnO薄膜 (2006年)

文件大小:2.01MB

文件格式:PDF

更新时间:2024-06-13 13:51:56

自然科学 论文

采用常压MOCVD方法在Cu/Si(111)基板上生长ZnO薄膜,研究了缓冲层的生长温度对ZnO外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨X射线衍射仪、光致发光谱仪对样品的表面形貌、晶体结构以及发光性能进行了分析。实验结果表明:ZnO/Cu/Si(111)外延膜的性能与缓冲层的生长温度有一定关系。当缓冲层温度控制在400℃附近时ZnO外延膜C轴取向较为明显、晶粒大小较均匀、结构也更为致密,并且PL光谱中与缺陷有关的深能级发射峰也相对较弱。


网友评论