文件名称：Si（111）衬底上外延ZnO薄膜的温度依赖性光致发光
文件大小：709KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-04-26 23:39:40
A. ZnO thin films; B.
通过PLD在具有MgO / TiN缓冲层的Si（111）衬底上生长高质量的外延ZnO膜。 XRD和HRTEM证实了良好的质量。 研究了在83 K至303 K温度范围内的PL特性。将激子以及相关的声子复制品与PL光谱相结合，分析了激子峰值能量，线宽和强度的热行为。 ZnO的带隙可以用Varshni公式很好地描述。 提取的*激子（XA）的热活化能为53.2 meV。 XA在83 K处的峰宽窄至18.7 meV。