文件名称：沉积温度和速率对电子束沉积ZnSe薄膜应力特性的影响 (2009年)
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更新时间：2024-06-15 19:27:11
工程技术 论文
在不同沉积温度和速率下，采用电子束蒸发法制备Znse薄膜样品，利用ZYGOGPI型干涉仪测试样品的应力行为，并采用X射线衍射（XRD）技术测试样品的晶向特征。实验结果表明，在不同条件下制备的ZnSe薄膜均呈现压应力，应力随着沉积温度升高而增大，在200℃应力达到最大值，之后应力随沉积温度升高呈下降趋势。XRD结果表明，沉积速率直接影响ZnSe薄膜的品向结构，进而改变ZnSe薄膜内应力；当沉积速率为1.5nm/s时，薄膜应力最小。