文件名称：论文研究-富In组分的InGaN合金组份及温度对声子模特性的影响 .pdf
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更新时间：2022-09-05 04:54:08
微电子学与固体电子学
富In组分的InGaN合金组份及温度对声子模特性的影响，李烨操，胡海楠，本文重点研究了In组份x及温度对InxGa1-xN合金拉曼散射声子模特性的影响。InGaN合金薄膜是采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在GaN/α-Al
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