铟组分不同的InGaN材料的光致发光特性 (2008年)

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文件名称：铟组分不同的InGaN材料的光致发光特性 (2008年)
文件大小：233KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-05-16 05:08:05
自然科学 论文 利用光致发光谱研究了不同组分铟镓氮材料的光学特性。发现随着温度升高,2 个样品的主峰表现出一种行为:半高宽度(FWHM)增加时,主峰位置红移;半高宽度减少时,主峰位置蓝移。对所得数据进行Arrhenius拟合,比较激活能得出结论:样品B中的非辐射复合中心比样品A中的易被激活;样品B中的载流子逃逸效应比样品A中更为明显。从而解释了2个样品发光效率不同的原因,为样品的改良提供了理论依据。