铟组分不同的InGaN材料的光致发光特性 (2008年)

时间:2024-06-04 22:54:45
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文件名称:铟组分不同的InGaN材料的光致发光特性 (2008年)

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更新时间:2024-06-04 22:54:45

自然科学 论文

利用光致发光谱研究了不同组分铟镓氮材料的光学特性。发现随着温度升高,2 个样品的主峰表现出一种行为:半高宽度(FWHM)增加时,主峰位置红移;半高宽度减少时,主峰位置蓝移。对所得数据进行Arrhenius拟合,比较激活能得出结论:样品B中的非辐射复合中心比样品A中的易被激活;样品B中的载流子逃逸效应比样品A中更为明显。从而解释了2个样品发光效率不同的原因,为样品的改良提供了理论依据。


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