论文研究-H -ISFET的温度特性及补偿 .pdf

时间:2022-09-04 07:09:39
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更新时间:2022-09-04 07:09:39
氢离子敏场效应传感器 H -ISFET的温度特性及补偿,许姗,童敏明,本文通过研究氢离子敏场效应传感器(H -ISFET)的物理化学结构特性得到它的温度特性,总结出它极易产生温度漂移的特点。针对这个缺�

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