论文研究-H -ISFET的温度特性及补偿 .pdf

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更新时间：2022-09-04 07:09:39

氢离子敏场效应传感器

H -ISFET的温度特性及补偿，许姗，童敏明，本文通过研究氢离子敏场效应传感器（H -ISFET）的物理化学结构特性得到它的温度特性，总结出它极易产生温度漂移的特点。针对这个缺�