文件名称：MBE生长GaAs(001)薄膜表面的Ostwald熟化过程研究* (2013年)
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更新时间：2024-06-07 02:08:16
工程技术 论文
采用带有RHEED的MBE技术，利用 RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况，通过 RHEED强度振荡测算薄膜生长速率，在GaAs(001)基片上同质外延GaAS薄膜。利用STM对MBE生长的GaAS薄膜表面的熟化过程进行了深入研究。研究发现，随着退火时间的延长，刚完成生长的GaAS表面从具有大量岛和坑的粗糙表面逐渐熟化，在熟化过程中岛不断合并扩大并与平台结合，而坑却逐渐消失。指出当熟化过程完成后GaAs表面将进入原子级平坦状态，并详细解释了熟化过程GaAs表面各种形貌特征形成的内在原因。