文件名称：论文研究-MBE生长InGaAs/GaAs(001)多层矩阵式量子点 .pdf
文件大小：773KB
文件格式：PDF
更新时间：2022-09-04 09:23:15
InGaAs量子点
MBE生长InGaAs/GaAs(001)多层矩阵式量子点，周清，刘珂，用分子束外延（MBE）设备以Stranski?Krastanov (S-K) 生长模式，通过间歇式源中断方式外延生长了多个周期垂直堆垛的InGaAs量子点，首次获得��
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