文件名称：论文研究-InSb量子点的LP-MOCVD法生长特征 .pdf
文件大小：617KB
文件格式：PDF
更新时间：2022-09-08 10:36:09
微电子学与固体电子学;LP-MOCVD;InSb;量子点
InSb量子点的LP-MOCVD法生长特征 ，陆晓欢，张彬，本文通过LP-MOCVD技术在GaSb衬底上外延生长高质量和高密度的InSb量子点，分析了一些影响InSb表面形貌的参数，如源流量、V/III相比、生长��
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