文件名称：MBE生长InGaAs/GaAs(001)多层矩阵式量子点* (2013年)
文件大小：326KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-06-07 01:40:16
工程技术 论文
用分子束外延(MBE)设备以Stranski- Krastanov(S-K)生长模式．通过间歇式源中断方式外延生长了多个周期垂直堆垛的InGaAs量子点，首次获得大小及密度可调的In0．43Ga0．57As／GaAs(001)矩阵式量子点DWELL结构。样品外延结构大致为500nm的GaAS、多个周期循环堆垛InGaAs量子点和60ML的GaAS隔离层等。生长过程中用反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监控，样品经退火后使用扫描隧道显微镜(STM)进行表面形貌的表征。