文件名称：GaAs(001)薄膜表面形貌相变过程* (2014年)
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更新时间：2024-06-07 02:12:05
工程技术 论文
采用STM以及RHEED技术对于GaAs （001）的表面形貌相变过程（有序平坦→无序平坦→粗糙）进行了深入研究。通过GaAs（001）在不同As BEP、不同温度的表面形貌相变过程的研究发现，As BEP和温度的变化是促使表面形貌相变发生的主要原因，高温引起原子重组致使表面重构的演变是GaAs （001）薄膜发生表面形貌相变的主要内在机制。单一表面重构或某一重构占绝对优势的表面形貌处于有序平坦状态；多种重构的非等量混合表面是无序平坦状态的主要表面形式；当表面重构难以辨别时，表面形貌也将进入岛上高岛、坑中