磁控溅射工艺参数对Cu薄膜织构的影响 (2009年)

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文件名称：磁控溅射工艺参数对Cu薄膜织构的影响 (2009年)
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更新时间：2021-05-18 21:16:03
自然科学 论文 介绍了直流磁控溅射制备cu薄膜时，溅射功率和玻璃基片温度等工艺参数的变化对薄膜织构的影响．靶材采用质量分数大于99.9％的铜靶，溅射室内真空度低于1.7×10-4，在氩气为保护气体的氛围下制备薄膜．用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)测试分析了薄膜的物相结构、表面组成、表面形貌的变化．结果表明，随着玻璃基片温度升高，薄膜微观结构呈明显的差异．随着溅射功率的增大，溅射速率增大，薄膜织构减弱；当功率增大到200 W时，速率开始减小，织构开始增强．选择功率40 W、溅射气压0.5 Pa、衬底温度423 K