用于AlGaN / GaN MIS-HEMT的LPCVD-SiNx栅极电介质与III型氮化物之间的界面研究

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文件名称：用于AlGaN / GaN MIS-HEMT的LPCVD-SiNx栅极电介质与III型氮化物之间的界面研究

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更新时间：2024-05-20 02:36:08

研究论文

用于AlGaN / GaN MIS-HEMT的LPCVD-SiNx栅极电介质与III型氮化物之间的界面研究