文件名称：论文研究-势垒层掺杂浓度和栅极金属功函数对高κ栅AlGaN/GaN MOS-HEMT的影响 .pdf
文件大小：414KB
文件格式：PDF
更新时间：2022-09-06 17:16:33
AlGaN/GaN
势垒层掺杂浓度和栅极金属功函数对高κ栅AlGaN/GaN MOS-HEMT的影响，刘红侠，陈树鹏，本文分析了HEMT器件的工作机理和器件的基本物理模型，对器件特性进行了二维数值仿真分析，重点研究了器件势垒层掺杂浓度、栅极金��
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