Ni/AlGaN/GaN结构中肖特基势垒温度特性 (2008年)

时间:2024-06-03 05:08:01
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更新时间:2024-06-03 05:08:01

工程技术 论文

通过I-V测量研究了AIGaN/GaN异质结构上的肖特基接触与温度的关系。在室温下肖特基势垒高度为0.75 ev,理想因子为2.06。温度升高,肖特基势垒高度增加,理想因子下降,主要原因是受异质结和二维电子气的影响。在正向电流为1mA时,室温下的正向电压为1.65v,从室温到300℃范围内正向电压的温度系数为-1.6mv/℃。


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