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文件名称：Ni/AlGaN/GaN结构中肖特基势垒温度特性 (2008年)
文件大小：122KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-05-14 11:21:21
工程技术 论文
通过I-V测量研究了AIGaN/GaN异质结构上的肖特基接触与温度的关系。在室温下肖特基势垒高度为0.75 ev，理想因子为2.06。温度升高，肖特基势垒高度增加，理想因子下降，主要原因是受异质结和二维电子气的影响。在正向电流为1mA时，室温下的正向电压为1.65v，从室温到300℃范围内正向电压的温度系数为-1.6mv/℃。