文件名称：使用兼容CMOS的接触材料在独立式GaN晶片上的1.2 kV GaN肖特基势垒二极管
文件大小：1014KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-05-31 02:41:32
RECTIFIERS; DEVICES; LAYERS
在本文中，我们报告了2英寸垂直GaN肖特基势垒二极管（SBD）的形成。 使用CMOS兼容接触材料的自支撑（FS）GaN晶圆。 通过实现1200V的截止态击穿电压V-BR和7m Omega.cm（2）的导通态电阻R-on，本工作中制造的FS-GaN SBD实现了功率器件的品质因数V在高质量GaN晶片上的-BR（2）/ R-on为2.1 x 10（8）V（2）.Omega（-1）.cm（-2）。 此外，在文献中报道的GaN SBD中，所制造的FS-GaN SBD显示出最高的I-on / I-off电流比，类似于2.3 x 10（10）。 （C）2017日本应用物理学会