AlGaN肖特基势垒二极管的研制 (2004年)

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文件名称：AlGaN肖特基势垒二极管的研制 (2004年)
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更新时间：2021-05-18 16:31:48
工程技术 论文 为研制适合高温高压下工作的整流器件,利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术生长的AlGaN/GaN/蓝宝石材料,采用电子束蒸发的方法,用Au和Ti/ Al分别作为肖特基接触和欧姆接触的电极,制备了AlGaN肖特基二极管,并对其工艺过程和器件特性进行了研究。I-V测试表明该AlGaN肖特基二极管具有明显的整流特性和较高的反向击穿电压(95 V),理想因子为1.93经3000C 1 min退火,该器件正、反向I-V特性都得到明显改善。采用变温1-V法对Au/AlGaN接触的肖特基势垒高度进行了标定,其势垒