蓝宝石衬底AlGaN/GaN功率HEMTs研制 (2004年)

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文件名称：蓝宝石衬底AlGaN/GaN功率HEMTs研制 (2004年)
文件大小：336KB
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更新时间：2021-05-09 02:35:42
工程技术 论文 基于蓝宝石衬底的高微波特性AlGaN /GaN HEMTs功率器件，器件采用了新的欧姆接触和新型空气桥方案。测试表明，器件电流密度0.784A/mm，跨导197mS/mm，关态击穿电压>80V，截止态漏电很小，栅宽1mm的器件的单位截止频率（fT）达到20GHz，最大振荡频率（fmax）28GHz，2GHz脉冲测试下，栅宽0.75mm器件，功率增益11.8dB，输出功率31.2dBm，功率密度1.75W/mm。