基于结终端扩展的4H-SiC肖特基势垒二极管研制

时间:2017-01-12 10:44:21
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文件名称:基于结终端扩展的4H-SiC肖特基势垒二极管研制

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更新时间:2017-01-12 10:44:21

4H-SiC 肖特基 二极管

碳化硅半导体材料与器件,主要研究了4H-SiC利用终端扩展技术制作肖特基势垒二极管的相关内容


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