用LPCVD-SiNx钝化和高温栅极凹槽制造的常关硅上GaN MIS-HEMT

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文件名称：用LPCVD-SiNx钝化和高温栅极凹槽制造的常关硅上GaN MIS-HEMT

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更新时间：2024-05-30 07:33:09

研究论文

用LPCVD-SiNx钝化和高温栅极凹槽制造的常关硅上GaN MIS-HEMT