文件名称：GaSb衬底上InAsSb材料的电学性能研究 (2016年)
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更新时间：2024-06-11 09:39:33
工程技术 论文
采用分子束外延(MBE)法在GaSb 衬底上生长了不同组分的 InAsSb 外延膜。 通过引入AlGaSb插层,实现对导电GaSb衬底上InAsSb材料电学性质的定性表征,并研究了生长温度和晶格失配对InAsSb外延层电学性能的影响。测试结果表明,在较低生长温度下获得的样品表面会形成缺陷,且其电学性能较差。对于一定晶格失配的样品,提高生长温度能获得较好的电学性能。