退火处理对长波长InAsSb材料电学性能的影响 (2014年)

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文件名称：退火处理对长波长InAsSb材料电学性能的影响 (2014年)
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更新时间：2021-05-13 14:03:11
工程技术 论文 研究长波长InAsSb半导体材料在退火处理前、后，傅里叶变换红外（FTIR）透射光谱、组份元素In、Sb和As在外延层中的分布以及电学性质的变化。用熔体外延（ME）技术，在InAs衬底上生长InAs0.05Sb0.95外延层，外延层的厚度达到100 μm。在350℃下，在氢气氛中对样品进行了11 h的退火。测量结果表明，退火处理使InAsSb样品的电子迁移率从300 K下的43600 cm2/（V・s）提高到77 K下的48300 cm2/（V・s），材料的电学性能及元素分布均匀性得到了明显改善。