文件名称：集成电路制造技术——原理与工艺----第四章热氧化
文件大小：7.42MB
文件格式：PPT
更新时间：2023-09-14 05:22:37
热氧化
集成电路制造技术——原理与工艺----第四章热氧化 4.1二氧化硅薄膜概述 4.2 SiO2的掩蔽作用 4.3 氧化机理 4.4 氧化系统、工艺 4.5 影响氧化速率的各种因素 4.6 杂质再分布 4.7 SiO2/Si界面特性 4.8 氧化层的检测
集成电路制造技术——原理与工艺----第四章热氧化
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热氧化
集成电路制造技术——原理与工艺----第四章热氧化 4.1二氧化硅薄膜概述 4.2 SiO2的掩蔽作用 4.3 氧化机理 4.4 氧化系统、工艺 4.5 影响氧化速率的各种因素 4.6 杂质再分布 4.7 SiO2/Si界面特性 4.8 氧化层的检测