文件名称：集成电路制造工艺原理
文件大小：3.45MB
文件格式：RAR
更新时间：2012-01-11 13:46:29
集成电路 工艺
集成电路制造工艺原理 第一章 外延及CAD－－ －－－－4学时 第二章 氧化、扩散及离子注入－8学时 第三章 光刻－－－－－－－－－4学时 第四章 刻蚀－－－－－－－－－2学时 第五章 金属化、封装与可靠性－2学时 第六章 N阱CMOS工艺流程－－2学时 第七章 硅器件制造的关键工艺－4学时
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一、恒定表面浓度的扩散.ppt
§2－1.ppt
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