红光OLED空穴注入层2-TNATA工艺及其性能研究 (2013年)

时间:2024-06-19 21:11:55
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文件名称:红光OLED空穴注入层2-TNATA工艺及其性能研究 (2013年)

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更新时间:2024-06-19 21:11:55

自然科学 论文

采用真空热蒸镀的方法在高精度膜厚控制仪的监控下,对多层红光OLED空穴注入层2-TNATA有机薄膜蒸镀工艺的条件及厚度对器件的发光性能进行实验研究。实验表明制备理想的2-TNATA薄膜工艺条件为,基板与蒸发源距离为24 cm,束源炉蒸发孔径为1.5 mm,基片温度为50℃,蒸镀温度为230℃,具有空穴注入层器件较无此层器件的发光性能得到显著提高,其空穴注入层最佳厚度为20 nm。该器件在12 V电压下亮度从1800 cd/m2提高到7600 cd/m2,提高了4倍,发光效率从1.8 cd/A提高到2.6


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