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文件名称：ZnO 空穴缓冲层对OLED 性能的影响 (2012年)
文件大小：279KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-05-22 23:46:57
自然科学 论文
本文利用无机材料ZnO 作为空穴缓冲层,制备了结构为ITO/ ZnO/ NPB/ Alq3 / Al 的有机电致发光器件。用计算机控制的KEITHLEY2400-PR655 系统测量器件的电压鄄电流鄄亮度特性。研究结果表明,当ZnO 薄膜的厚度为2 nm时,器件的电流效率可达1郾65 cd/ A,最大亮度为3 449 cd/ m2 ;而没有加入缓冲层的同类器件,最大亮度仅为869.7 cd/ m2 ,最大电流效率为0.46 cd/ A。由此可以看出,加入ZnO 空穴缓冲层后,最大亮度提高3.97 倍,最大