文件名称：利用金刚石纳米粉引晶方法制备高硼掺杂金刚石薄膜 (2009年)
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更新时间：2024-06-02 13:31:59
自然科学 论文
利用金刚石纳米粉引晶方法在SiO2 衬底上合成了高硼掺杂金刚石薄膜,并利用范德堡法、扫描电镜、激光拉曼方法对不同掺杂量下生长的样品进行了表征。SEM和拉曼谱分析表明,少量掺杂时有利于提高金剐石薄膜的质量,但是随着掺杂量的增加,金刚石薄膜质量开始明显下降;并且拉曼谱峰在500 cm-1 和1200 cm-1。开始加强,呈现重掺杂金刚石薄膜的典型特征。其电导率随着温度升高而升高,表明导电性质为半导体导电。