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文件名称：金刚石薄膜/立方氮化硼异质结的制备 (2000年)
文件大小：169KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-05-20 03:48:08
自然科学 论文
利用高温高压合成的立方氮化硼单晶材料，采用恒浓度高温扩散方法制备n型立方氮化硼半导体材料．通过化学气相沉积方法在n型立方氮化硼上外延生长P型金刚石薄膜．在此基础上，通过欧姆接触电极的制作，制备出金刚石薄膜/立方氮化硼异质pn结，并给出pn结的伏安特性曲线．