硅基铁电微声学器件中薄膜残余应力的研究 (2005年)

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文件名称：硅基铁电微声学器件中薄膜残余应力的研究 (2005年)

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更新时间：2024-05-26 10:04:10

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采用基底曲率法测量了硅基铁电微声学器件中各层薄膜的残余应力情况，通过调节热氧化的二氧化硅层的厚度，优化了微声学器件中复合膜的残余应力，得到平整的振膜结构，提高了器件的可靠性和成品率。