Co掺杂对zn1-CoxO稀磁半导体光学性质的影响 (2007年)

时间:2021-06-12 08:04:25
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文件名称:Co掺杂对zn1-CoxO稀磁半导体光学性质的影响 (2007年)
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更新时间:2021-06-12 08:04:25
自然科学 论文 溶胶一凝胶法制备了c0掺杂的Zn0基稀磁半导体,研究其粉体和薄膜的结构和光学特性.x射线衍射结果表明Co2+随机替代zn2+位置进入ZnO晶格,并引起晶格常数的变化.紫外一可见透射光谱表明样品的禁带宽度随着Co掺杂浓度的增大呈现非单调变化规律,低浓度掺杂样品的光学带隙随掺杂浓度增大而减小(红移),这是由于cO2+替代zn2+,局域d电子与能带电子之间的sp-d交换耦合引起的.

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