文件名称：Co掺杂对zn1-CoxO稀磁半导体光学性质的影响 (2007年)
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更新时间：2024-07-02 01:51:05
自然科学 论文
溶胶一凝胶法制备了c0掺杂的Zn0基稀磁半导体，研究其粉体和薄膜的结构和光学特性．x射线衍射结果表明Co2+随机替代zn2+位置进入ZnO晶格，并引起晶格常数的变化．紫外一可见透射光谱表明样品的禁带宽度随着Co掺杂浓度的增大呈现非单调变化规律，低浓度掺杂样品的光学带隙随掺杂浓度增大而减小(红移)，这是由于cO2+替代zn2+，局域d电子与能带电子之间的sp-d交换耦合引起的．