文件名称：p型掺杂Fe的CuCrO“ 2半导体薄膜的磁，电和光学性质
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文件格式：PDF
更新时间：2024-04-27 19:02:52
Semiconductors; Magnetic films and multilayers;
通过脉冲激光沉积制备具有c轴准外延取向的Fe掺杂CuCrO2铜铁矿薄膜，该薄膜表现出相当好的p型电导率，TC远高于室温的铁磁性，并且在可见光范围内具有较高的透明性。 研究了铁浓度（0-15 at％）对组织和物理性能的影响。 用Fe3 +代替Cr3 +引起晶格膨胀，这有利于氧的插入并因此产生较高的空穴浓度。 因此，p型电导率显着提高到28 S cm-1。 此外，Fe3 +的引入导致负责室温铁磁性的空穴介导的Fe3 + -Cr3 +超交换耦合。 当居里温度⩾550K时，随着Fe浓度的增加，饱和磁化强度增强。但是，可见光范围内的透明性无法从Fe掺杂中受益。 在750 nm的波长下，透射率从x = 0的75％降低到x = 15 at％的65％，这可以解释为电荷载流子对光子的增强散射。 通过添加Fe，直接光学带隙被3.8％调制。 结果表明，用铁代替Chrome是获得高性能CuCrO2薄膜的有效途径，该薄膜有望成为有前途的p型透明稀释磁性半导体材料。