文件名称：论文研究-退火对ZnO纳米杆/n -Si异质结I-V 特性的影响 .pdf
文件大小：487KB
文件格式：PDF
更新时间：2022-09-08 15:35:45
微电子学
退火对ZnO纳米杆/n -Si异质结I-V 特性的影响，黄晖辉，方国家，采用水热法在n型重掺杂的硅片（100）上生长了垂直致密的ZnO纳米杆，并制备了ZnO纳米杆/n -Si异质结。研究了在630℃下不同退火时间对ZnO��
论文研究-退火对ZnO纳米杆/n -Si异质结I-V 特性的影响 .pdf
【文件属性】：