硅衬底对纳米ZnO/p-Si异质结酒精敏感性能的影响 (2012年)

时间:2024-06-08 17:20:18
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文件名称:硅衬底对纳米ZnO/p-Si异质结酒精敏感性能的影响 (2012年)

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更新时间:2024-06-08 17:20:18

自然科学 论文

采用射频磁控溅射的方法在不同电阻率的P型硅衬底上沉积氧化锌薄膜,制备了ZnO/p-Si异质结。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析ZnO薄膜的物相结构和表面形貌。研究室温下不同电阻率的硅衬底对znO/p-Si异质结电流一电压特性和酒精敏感特性的影响。结果表明:ZnO薄膜结晶情况良好,具有高度的c轴择优取向.表面颗粒分布均匀;ZnO/p-Si异质结酒精敏感性依赖于p-si衬底,当p-Si衬底的电阻率为10~20 Ω・cm时,其气敏性能最强;该异质结在+4.0 V的偏置电压下,对0.024 g/L


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