硅衬底上ZnO纳米线的制备及其导电性能* (2009年)

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文件名称：硅衬底上ZnO纳米线的制备及其导电性能* (2009年)
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更新时间：2021-05-10 10:25:58
工程技术 论文 采用无催化剂的气相输运方法在n-Si衬底上制备了ZnO纳米线．其直径约100 nm至200 nm，长度约几微米，X射线衍射图谱的所有峰位与典型的六角纤锌矿ZnO相匹配．霍尔效应测量表明纳米结构ZnO具有良好的导电性．纳米ZnO／n- Si的电压电流关系显示其具有整流特性．基于纳米ZnO／n-Si界面的能带结构对其导电特性进行了分析讨论。