缩写	全称
BBM	Bad Block Management
BBT	Bad Block Table
EEPROM	Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory
MLC	Multi Level Cell
MOSFET	Metal-Oxide -Semiconductor Field Effect Transistor 金属氧化物半导体场效应晶体管
SLC	Single Level Cell

1. 正文之前

1.1. 目的

本文的主要目的是，看了之后，你应该对Nand Flash的硬件特性以及对应的Linux下软件平台有了基本的认识，进一步地，对如何实现Linux下的Nand Flash的驱动，知道要做哪些事情了，以及大概是如何实现的。这样，如果有了对应的开发环境，你就可以自己去实现Nand Flash的驱动了。

不过额外提示一句的是，写出代码，并不代表你就完全搞懂了整个系统的流程。而且已经写好的代码，很可能有bug，要你不断地调试，通过调试，你才会对整个系统以及Nand Flash的方方面面有个更深入的了解的。

而且，你会发现，为了写驱动那点代码之前，却要弄懂太多的东西，包括硬件的工作原理，软件的协议规范，软件的逻辑架构等等，最后才能去实现你的驱动，所以有人会说，你写驱动不是很简单嘛，不就是写那几行代码吗，对此，一个经典的回答就是，对于整个写驱动的工作的价值算作100元的话，写代码值1块钱，但是知道怎么写，值99块钱。^_^

1.2. 目标读者和阅读此文的前提

正因为此文目的是让你搞懂如何在Linux下面实现Nand Flash的驱动，所以，目标读者就是，希望对Nand Flash硬件知识有一定了解，和想要在Linux下面实现Nand Flash驱动的读者。

而阅读此文的前提，是要有一些基本的软硬件基础知识，和了解如何在v2.6内核之后Linux的下面开发驱动的流程。有了这些知识，再看本文，然后你才能清楚真正要去实现Nand Flash的驱动，是如何下手。

1.3. 说明

本文的逻辑是，先介绍Nand Flash的一些基本的硬件知识，然后详细分析Nand Flash的Read操作的具体的流程，清楚硬件实现的逻辑，接着介绍软件平台，即Linux下面和Nand Flash相关的内容，这样，硬件和软件都清楚是怎么回事了，然后再介绍如何去在Linux的架构下，实现Nand Flash驱动。

之前写的版本，虽然前面关于Nand Flash的内容介绍的比较详细，但是后面关于相关的MTD知识，尤其是Linux的MTD的架构和如何实现具体的Nand的Flash的操作等部分的内容，写的很简略，导致有些读者看了后，觉得是，关于如何写驱动，和没说差不多，呵呵。

因此，现在继续更新，将更详细的解释，如何从硬件Nand Flash的规范，一步步映射到具体的软件实现的过程，这样，使得读者更明白其中的内在逻辑，然后接着再介绍如何在理解了软硬件各自的所具有的功能，以及Linux的MTD系统，已经帮你实现了哪些功能，然后才会更加明白，余下的要实现的软件部分，就是你所要实现的Linux下的Nand Flash的驱动部分了。

1.4. 声明

关于此贴版权问题，欢迎转载，但是希望注明联系方式，至少其他人看到被转帖的内容，如果有疑问，建议和意见，可以及时与笔者沟通。

Flash全名叫做Flash Memory，从名字就能看出，是种数据存储设备，存储设备有很多类，Flash属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device)。关于什么是非易失性/易失性，从名字中就可以看出，非易失性就是不容易丢失，数据存储在这类设备中，即使断电了，也不会丢失，这类设备，除了Flash，还有其他比较常见的入硬盘，ROM等，与此相对的，易失性就是断电了，数据就丢失了，比如大家常用的内存，不论是以前的SDRAM，DDR SDRAM，还是现在的DDR2，DDR3等，都是断电后，数据就没了。

2.1.1.1. Flash的硬件实现机制

Flash的内部存储是MOSFET，里面有个悬浮门(Floating Gate)，是真正存储数据的单元。

在Flash之前，紫外线可擦除(uv-erasable)的EPROM，就已经采用了Floating Gate存储数据这一技术了。

图表 1 典型的Flash内存单元的物理结构

【详解】如何编写Linux下Nand Flash驱动 1/2

数据在Flash内存单元中是以电荷(electrical charge) 形式存储的。存储电荷的多少，取决于图中的外部门（external gate）所被施加的电压，其控制了是向存储单元中冲入电荷还是使其释放电荷。而数据的表示，以所存储的电荷的电压是否超过一个特定的阈值Vth来表示，因此，Flash的存储单元的默认值，不是0（其他常见的存储设备，比如硬盘灯，默认值为0），而是1，而如果将电荷释放掉，电压降低到一定程度，表述数字0。

2.1.2.什么是Nand Flash

Flash主要分两种，Nand Flash和nor flash。

关于Nand Flash和Nor Flash的区别，参见【附录5】。

不过，关于两者区别，除了那个解释之外，这里再多解释解释：

1.Nor的成本相对高，容量相对小，比如常见的只有128KB，256KB，1MB，2MB等等，优点是读写数据时候，不容易出错。所以在应用领域方面，Nor Flash比较适合应用于存储少量的代码。

2.Nand flash成本相对低，说白了就是便宜，缺点是使用中数据读写容易出错，所以一般都需要有对应的软件或者硬件的数据校验算法，统称为ECC。但优点是，相对来说容量比较大，现在常见的Nand Flash都是1GB，2GB，更大的8GB的都有了，相对来说，价格便宜，因此适合用来存储大量的数据。其在嵌入式系统中的作用，相当于PC上的硬盘，用于存储大量数据。

所以，一个常见的应用组合就是，用小容量的Nor Flash存储启动代码，比如uboot，用大容量的Nand Flash做整个系统和用户数据的存储。

而一般的嵌入式平台的启动流程也就是，系统从装有启动代码的Nor Flash启动后，初始化对应的硬件，包括SDRAM等，然后将Nand Flash上的Linux 内核读取到内存中，做好该做的事情后，就跳转到SDRAM中去执行内核了，然后内核解压（如果是压缩内核的话，否则就直接运行了）后，开始运行，在Linux内核启动最后，去Nand Flash上，挂载根文件，比如jffs2，yaffs2等，挂载完成，运行初始化脚本，启动consle交互，才运行你通过console和内核交互。至此完成整个系统启动过程。

而Nor Flash就分别存放的是Uboot，Nand Flash存放的是Linux的内核镜像和根文件系统，以及余下的空间分成一个数据区。

2.1.2.1. Nand Flash和Nor Flash的区别

Nor flash，有类似于dram之类的地址总线，因此可以直接和CPU相连，CPU可以直接通过地址总线对nor flash进行访问，而Nand Flash没有这类的总线，只有IO接口，只能通过IO接口发送命令和地址，对Nand Flash内部数据进行访问。相比之下，nor flash就像是并行访问，Nand Flash就是串行访问，所以相对来说，前者的速度更快些。

但是由于物理制程/制造方面的原因，导致nor 和nand在一些具体操作方面的特性不同：

图表 2 Nand Flash 和 Nor Flash的区别

	NOR	NAND	（备注）
接口	总线	I/O接口	这个是两者物理结构上的最大区别
单个cell大小	大	小
单个Cell成本	高	低
读耗时	快	慢
单字节的编程时间	快	慢
多字节的编程时间	慢	快
擦除时间	慢	快
功耗	高	低，但是需要额外的RAM
是否可以执行代码	是	不行, 但是一些新的芯片，可以在第一页之外执行一些小的loader（1）	即是否允许，芯片内执行(XIP, eXecute In Place) (参见附录)
位反转(Bit twiddling/bit flip)	几乎无限制	1-4次，也称作 “部分页编程限制”	也就是数据错误，0->1或1->0
在芯片出厂时候是否允许坏块	不允许	允许

注：

（1）理论上是可以的，而且也是有人验证过可以的，只不过由于Nand Flash的物理特性，不能完全保证所读取的数据/代码是正确的，实际上，很少这么用而已。因为，如果真是要用到Nand Flash做XIP，那么除了读出速度慢之外，还要保证有数据的校验，以保证读出来的，将要执行的代码/数据，是正确的。否则，系统很容易就跑飞了。。。

2.1.2.2. Nand Flash的详细分类

Nand Flash，按照硬件类型，可以分为

（1）Bare NAND chips：裸片，单独的Nand Flash芯片

（2）SmartMediaCards： =裸片+一层薄塑料，常用于数码相机和MP3播放器中。之所以称smart，是由于其软件smart，而不是硬件本身有啥smart之处。

（3）DiskOnChip：裸片+glue logic，glue logic=硬件ECC产生器+用于静态的nand 芯片控制的寄存器+直接访问一小片地址窗口，那块地址中包含了引导代码的stub桩，其可以从Nand Flash中拷贝真正的引导代码。

2.1.3.SLC和MLC的实现机制

Nand Flash按照内部存储数据单元的电压的不同层次，也就是单个内存单元中，是存储1位数据，还是多位数据，可以分为SLC和MLC。

2.1.3.1. SLC（Single Level Cell）

单个存储单元，只存储一位数据，表示1或0。

就是上面介绍的，对于数据的表示，单个存储单元中内部所存储电荷的电压，和某个特定的阈值电压Vth，相比，如果大于此Vth值，就是表示1，反之，小于Vth，就表示0.

对于Nand Flash的数据的写入1，就是控制External Gate去充电，使得存储的电荷够多，超过阈值Vth，就表示1了。而对于写入0，就是将其放电，电荷减少到小于Vth，就表示0了。

关于为何Nand Flash不能从0变成1，我的理解是，物理上来说，是可以实现每一位的，从0变成1的，但是实际上，对于实际的物理实现，出于效率的考虑，如果对于，每一个存储单元都能单独控制，即，0变成1就是，对每一个存储单元单独去充电，所需要的硬件实现就很复杂和昂贵，同时，所进行对块擦除的操作，也就无法实现之前所说的的，Flash的速度，即一闪而过的速度了，也就失去了Flash的众多特性了。

2.1.3.2. MLC（Multi Level Cell）

与SLC相对应的，就是单个存储单元，可以存储多个位，比如2位，4位等。其实现机制，说起来比较简单，就是通过控制内部电荷的多少，分成多个阈值，通过控制里面的电荷多少，而达到我们所需要的存储成不同的数据。比如，假设输入电压是Vin＝4V（实际没有这样的电压，此处只是为了举例方便），那么，可以设计出2的2次方＝4个阈值， 1/4 的Vin＝1V，2/4的Vin＝2V，3/4的Vin＝3V，Vin＝4V，分别表示2位数据00，01，10，11，对于写入数据，就是充电，通过控制内部的电荷的多少，对应表示不同的数据。

对于读取，则是通过对应的内部的电流（与Vth成反比），然后通过一系列解码电路完成读取，解析出所存储的数据。这些具体的物理实现，都是有足够精确的设备和技术，才能实现精确的数据写入和读出的。

单个存储单元可以存储2位数据的，称作2的2次方＝4 Level Cell，而不是2 Level Cell，关于这点，之前看Nand flash的数据手册（datasheet）的时候，差点搞晕了。

同理，对于新出的单个存储单元可以存储4位数据的，称作 2的4次方＝16 Level Cell。

2.1.3.3. 关于如何识别SLC还是MLC

Nand Flash设计中，有个命令叫做Read ID，读取ID，意思是读取芯片的ID，就像大家的身份证一样，这里读取的ID中，是读取好几个字节，一般最少是4个，新的芯片，支持5个甚至更多，从这些字节中，可以解析出很多相关的信息，比如此Nand Flash内部是几个芯片（chip）所组成的，每个chip包含了几片（Plane），每一片中的页大小，块大小，等等。在这些信息中，其中有一个，就是识别此flash是SLC还是MLC。下面这个就是最常见的Nand Flash的datasheet中所规定的，第3个字节，3rd byte，所表示的信息，其中就有SLC/MLC的识别信息：

图表 3 Nand Flash 第3个ID的含义

	Description	I/O7	I/O6	I/O5 I/O4	I/O3 I/O2	I/O1 I/O0
Internal Chip Number	1 2 4 8					0 0 0 1 1 0 1 1
Cell Type	2 Level Cell 4 Level Cell 8 Level Cell 16 Level Cell				0 0 0 1 1 0 1 1
Number of Simultaneously Programmed Pages	1 2 4 8			0 0 0 1 1 0 1 1
Interleave Program Between multiple chips	Not Support Support		0 1
Cache Program	Not Support Support	0 1

2.1.4.Nand Flash数据存储单元的整体架构

简单说就是，常见的Nand Flash，内部只有一个chip，每个chip只有一个plane。

而有些复杂的，容量更大的Nand Flash，内部有多个chip，每个chip有多个plane。这类的Nand Flash，往往也有更加高级的功能，比如下面要介绍的Multi Plane Program和Interleave Page Program等。

概念上，由大到小来说，就是：

Nand Flash -> Chip -> Plane -> Block -> Page -> oob

比如，型号为K9K8G08U0A这个芯片（chip），内部有两个K9F4G08U0A，每个K9F4G08U0A包含了2个Plane，每个Plane是1Gb，所以K9F4G08U0A的大小是1Gb×2＝2Gb＝256MB，因此，K9K8G08U0A内部有2个K9F4G08U0A，即4个Plane，总大小是4×256MB＝1GB。

而型号是K9WAG08U1A的Nand Flash，内部包含了2个K9K8G08U0A，所以，总容量是K9K8G08U0A的两倍＝1GB×2＝2GB，类似地K9NBG08U5A，内部包含了4个K9K8G08U0A，总大小就是4×1GB＝4GB。

【注意】

上面所说的block，page等Nand Flash的物理上的组织结构，是在chip的基础上来说的，但是软件编程的时候，除非你要用到Multi Plane Program和Interleave Page Program等，一般很少区分内部有几个chip以及每个chip有几个plane，而最关心的只是Nand Flash的总体容量size有多大，比如是1GB还是2GB等等。

下面详细介绍一下，Nand Flash的一个chip内部的硬件逻辑组织结构。

2.1.5.Nand Flash的物理存储单元的阵列组织结构

Nand Flash的内部组织结构，此处还是用图来解释，比较容易理解：

图表 4 Nand Flash物理存储单元的阵列组织结构

【详解】如何编写Linux下Nand Flash驱动 1/2

上图是K9K8G08U0A的datasheet中的描述。

简单解释就是:

2.1.5.1. Block块

一个Nand Flash（的chip，芯片）由很多个块（Block）组成，块的大小一般是128KB，256KB，512KB，此处是128KB。其他的小于128KB的，比如64KB，一般都是下面将要介绍到的small block的Nand Flash。

块Block，是Nand Flash的擦除操作的基本/最小单位。

2.1.5.2. Page页

每个块里面又包含了很多页（page）。每个页的大小，对于现在常见的Nand Flash多数是2KB，最新的Nand Flash的是4KB、8KB等，这类的页大小大于2KB的Nand Flash，被称作big block的Nand Flash，对应的发读写命令地址，一共5个周期(cycle)，而老的Nand Flash，页大小是256B，512B，这类的Nand Flash被称作small block，地址周期只有4个。

页Page，是读写操作的基本单位。

不过，也有例外的是，有些Nand Flash支持subpage（1/2页或1/4页）子页的读写操作，不过一般很少见。

2.1.5.3. oob / Redundant Area / Spare Area

每一个页，对应还有一块区域，叫做空闲区域（spare area）/冗余区域（redundant area），而Linux系统中，一般叫做OOB（Out Of Band），这个区域，是最初基于Nand Flash的硬件特性：数据在读写时候相对容易错误，所以为了保证数据的正确性，必须要有对应的检测和纠错机制，此机制被叫做EDC(Error Detection Code)/ECC（Error Code Correction, 或者 Error Checking and Correcting），所以设计了多余的区域，用于放置数据的校验值。

Oob的读写操作，一般是随着页的操作一起完成的，即读写页的时候，对应地就读写了oob。

关于oob具体用途，总结起来有：

? 标记是否是坏快

? 存储ECC数据

? 存储一些和文件系统相关的数据。如jffs2就会用到这些空间存储一些特定信息，而yaffs2文件系统，会在oob中，存放很多和自己文件系统相关的信息。

2.1.6.Flash名称的由来

Flash的擦除操作是以block块为单位的，与此相对应的是其他很多存储设备，是以bit位为最小读取/写入的单位，Flash是一次性地擦除整个块：在发送一个擦除命令后，一次性地将一个block，常见的块的大小是128KB/256KB。。，全部擦除为1，也就是里面的内容全部都是0xFF了，由于是一下子就擦除了，相对来说，擦除用的时间很短，可以用一闪而过来形容，所以，叫做Flash Memory。所以一般将Flash翻译为（快速）闪存。

2.1.7.Flash相对于普通设备的特殊性

根据上面提到过的，Flash最小操作单位，相对于普通存储设备，就显得有些特殊。

因为一般存储设备，比如硬盘或内存，读取和写入都是以位（bit）为单位，读取一个bit的值，将某个值写入对应的地址的位，都是可以按位操作的。

但是Flash由于物理特性，使得内部存储的数据，只能从1变成0，这点，这点可以从前面的内部实现机制了解到，对于最初始值，都是1，所以是0xFFFFFFFF，而数据的写入，即是将对应的变成0，而将数据的擦出掉，就是统一地，以block为单位，全部一起充电，所有位，都变成初始的1，而不是像普通存储设备那样，每一个位去擦除为0。而数据的写入，就是电荷放电的过程，代表的数据也从1变为了0.

所以，总结一下Flash的特殊性如下：

图表 5 Flash和普通设备相比所具有的特殊性

	普通设备(硬盘/内存等)	Flash
读取/写入的叫法	读取/写入	读取/编程(Program)①
读取/写入的最小单位	Bit/位	Page/页
擦除(Erase)操作的最小单位	Bit/位	Block/块 ②
擦除操作的含义	将数据删除/全部写入0	将整个块都擦除成全是1，也就是里面的数据都是0xFF ③
对于写操作	直接写即可	在写数据之前，要先擦除，然后再写

注：

① 之所以将写操作叫做编程，是因为flash是从之前的EPROM、EEPROM等继承发展而来，而之前的EEPROM，往里面写入数据，就叫做编程Program，之所以这么称呼，是因为其对数据的写入，是需要用电去擦除/写入的，所以叫做编程。

② 对于目前常见的页大小是2K/4K的Nand Flash，其块的大小有128KB/256KB/512KB等。而对于Nor Flash，常见的块大小有64K/32K等。

③在写数据之前，要先擦除，内部就都变成0xFF了，然后才能写入数据，也就是将对应的位由1变成0。

2.1.8.Nand Flash引脚(Pin)的说明

图表 6 Nand Flash引脚功能说明

【详解】如何编写Linux下Nand Flash驱动 1/2

上图是常见的Nand Flash所拥有的引脚（Pin）所对应的功能，简单翻译如下：

图表 7 Nand Flash引脚功能的中文说明

引脚名称	引脚功能
I/O0 ~ I/O7	用于输入地址/数据/命令，输出数据
CLE	Command Latch Enable，命令锁存使能，在输入命令之前，要先在模式寄存器中，设置CLE使能
ALE	Address Latch Enable，地址锁存使能，在输入地址之前，要先在模式寄存器中，设置ALE使能
CE#	Chip Enable，芯片使能，在操作Nand Flash之前，要先选中此芯片，才能操作
RE#	Read Enable，读使能，在读取数据之前，要先使CE＃有效。
WE#	Write Enable，写使能, 在写取数据之前，要先使WE＃有效
WP#	Write Protect，写保护
R/B#	Ready/Busy Output,就绪/忙,主要用于在发送完编程/擦除命令后,检测这些操作是否完成,忙,表示编程/擦除操作仍在进行中,就绪表示操作完成
Vcc	Power，电源
Vss	Ground，接地
N.C	Non-Connection,未定义，未连接

【小常识】

在数据手册中，你常会看到，对于一个引脚定义，有些字母上面带一横杠的，那是说明此引脚/信号是低电平有效，比如你上面看到的RE头上有个横线，就是说明，此RE是低电平有效，此外，为了书写方便，在字母后面加“＃”，也是表示低电平有效，比如我上面写的CE＃；如果字母头上啥都没有，就是默认的高电平有效，比如上面的CLE，就是高电平有效。

2.1.8.1. 为何需要ALE和CLE

硬件上，有了电源的Vcc和接地的Vss等引脚，很好理解，但是为何还要有ALE和CLE这样的引脚，为何设计这么多的命令,把整个系统搞这么复杂，关于这点，最后终于想明白了：

设计命令锁存使能(Command Latch Enable, CLE) 和地址锁存使能(Address Latch Enable，ALE)，那是因为，Nand Flash就8个I/O，而且是复用的，也就是，可以传数据，也可以传地址，也可以传命令，为了区分你当前传入的到底是啥，所以，先要用发一个CLE（或ALE）命令，告诉Nand Flash的控制器一声，我下面要传的是命令（或地址），这样，里面才能根据传入的内容，进行对应的动作。否则,Nand Flash内部,怎么知道你传入的是数据,还是地址,还是命令,也就无法实现正确的操作了.

2.1.8.2. Nand Flash只有8个I/O引脚的好处

在Nand Flash的硬件设计中，你会发现很多个引脚。关于硬件上为何设计这样的引脚，而不是直接像其他存储设备，比如普通的RAM，直接是一对数据线引出来，多么方便和好理解啊。

关于这样设计的好处：

2.1.8.2.1. 减少外围连线：

相对于并口(Parellel)的Nor Flash的48或52个引脚来说，的确是大大减小了引脚数目，这样封装后的芯片体积，就小很多。现在芯片在向体积更小，功能更强，功耗更低发展，减小芯片体积，就是很大的优势。同时，减少芯片接口，也意味着使用此芯片的相关的外围电路会更简化，避免了繁琐的硬件连线。

2.1.8.2.2. 提高系统的可扩展性

因为没有像其他设备一样用物理大小对应的完全数目的addr引脚，在芯片内部换了芯片的大小等的改动，对于用全部的地址addr的引脚，那么就会引起这些引脚数目的增加，比如容量扩大一倍，地址空间/寻址空间扩大一倍，所以，地址线数目/addr引脚数目，就要多加一个，而对于统一用8个I/O的引脚的Nand Flash，由于对外提供的都是统一的8个引脚，内部的芯片大小的变化或者其他的变化，对于外部使用者(比如编写Nand Flash驱动的人)来说，不需要关心，只是保证新的芯片，还是遵循同样的接口，同样的时序，同样的命令，就可以了。这样就提高了系统的扩展性。

说白了，对于旧的Nand Flash所实现的驱动，这些软件工作，在换新的硬件的Nand Flash的情况下，仍然可以工作，或者是通过极少的修改，就同样可以工作，使得软硬件兼容性大大提高。

2.1.9.Nand flash的一些典型(typical)的特性

1. 页擦除时间是200us，有些慢的有800us。

2. 块擦除时间是1.5ms.

3. 页数据读取到数据寄存器的时间一般是20us。

4. 串行访问（Serial access）读取一个数据的时间是25ns，而一些旧的Nand Flash是30ns，甚至是50ns。

5. 输入输出端口是地址和数据以及命令一起multiplex复用的。

6. Nand Flash的编程/擦除的寿命：即，最多允许的擦除的次数。

以前老的Nand Flash，编程/擦除时间比较短，比如K9G8G08U0M，才5K次，而后来的多数也只有10K=1万次，而现在很多新的Nand Flash，技术提高了，比如，Micron的MT29F1GxxABB，Numonyx的 NAND04G-B2D/NAND08G-BxC，都可以达到100K，也就是10万次的编程/擦除，达到和接近于之前常见的Nor Flash，几乎是同样的使用寿命了。

7. 封装形式：48引脚的TSOP1封装或 52引脚的ULGA封装

秒客网

【详解】如何编写Linux下Nand Flash驱动 1/2

1. 正文之前

1.1. 目的

1.2. 目标读者和阅读此文的前提

1.3. 说明

1.4. 声明

2.1. 硬件特性

2.1.1.什么是Flash

2.1.1.1. Flash的硬件实现机制

2.1.2.什么是Nand Flash

2.1.2.1. Nand Flash和Nor Flash的区别

2.1.2.2. Nand Flash的详细分类

2.1.3.SLC和MLC的实现机制

2.1.3.1. SLC（Single Level Cell）

2.1.3.2. MLC（Multi Level Cell）

2.1.3.3. 关于如何识别SLC还是MLC

2.1.4.Nand Flash数据存储单元的整体架构

2.1.5.Nand Flash的物理存储单元的阵列组织结构

2.1.5.1. Block块

2.1.5.2. Page页

2.1.5.3. oob / Redundant Area / Spare Area

2.1.6.Flash名称的由来

2.1.7.Flash相对于普通设备的特殊性

2.1.8.Nand Flash引脚(Pin)的说明

2.1.8.1. 为何需要ALE和CLE

2.1.8.2. Nand Flash只有8个I/O引脚的好处

2.1.8.2.1. 减少外围连线：

2.1.8.2.2. 提高系统的可扩展性

2.1.9.Nand flash的一些典型(typical)的特性

相关文章