含K和Na过量靶的单相无铅NKLNST薄膜的脉冲激光沉积

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文件名称：含K和Na过量靶的单相无铅NKLNST薄膜的脉冲激光沉积
文件大小：844KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-05-12 21:15:45
NKLNST thin film; Pulsed laser 在Pt（111）/ Ti上制备无铅[（Na0.57K0.43）（0.94）Li-0.06] [（Nb0.94Sb0.06）（0.95）Ta-0.05] O-3（NKLNST）薄膜/ SiO2 / Si（001）基板通过脉冲激光沉积。 为了补偿膜沉积过程中的K和Na蒸发损失，采用了掺入不同量的过量K和Na的NKLNST陶瓷靶材，并且根据化学计量和结晶度，发现含有20 mol％过量K和Na的靶材是最佳的。由此产生的电影。 用这样的靶标和1 Pa的O-2沉积高质量的NKLNST薄膜，该薄膜具有良好的钙钛矿相结晶，最致密和最光滑的表面以及最佳的结构和电性能，剩余极化Pr为7.18μm C / cm（2）。 在1 Pa的O-2下生长的薄膜，在低电场（<10kV / cm）的传输中，欧姆传导起主导作用，而空间电荷限制电流是高电场下的主要泄漏机理。 这项工作揭示了在PLD过程中靶和O-2压力中过量的K和Na掺入在保留挥发性K和Na含量并最终导致通过脉冲形成单相高质量KNN基薄膜方面的作用。激光沉积。