具有低k介电埋层的新型部分绝缘体上硅高压LDMOS

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文件名称：具有低k介电埋层的新型部分绝缘体上硅高压LDMOS
文件大小：1.5MB
文件格式：PDF
更新时间：2021-02-23 06:26:07
silicon-on-insulator; low k dielectric; electric 通过MEDICI提出并研究了一种新型的具有低k（相对介电常数）介电埋层（LK PSOI）的部分绝缘体上硅（PSOI）高压器件及其击穿机理。 在低k值下，电介质掩埋层（EI）中的电场强度增强，并且Si窗口使衬底共享垂直降落，从而导致较高的垂直击穿电压； 在横向方向上，在Si窗口处引入一个高电场峰值，从而调制SOI层中的电场分布。 结果，获得了高击穿电压（BV）。 与传统PSOI相比，在1μm厚的掩埋层上的2μm厚的SOI层上，k（I）= 2的LK PSOI的EI和BV值分别提高了74％和19％。 此外，Si窗也减轻了自热效应。