具有侧向双栅极的高性能超薄体超薄盒式绝缘体上硅MOSFET的分析:具有抑制DIBL的功能 时间:2021-04-13 22:14:18 【文件属性】: 文件名称:具有侧向双栅极的高性能超薄体超薄盒式绝缘体上硅MOSFET的分析:具有抑制DIBL的功能 文件大小:1.87MB 文件格式:PDF 更新时间:2021-04-13 22:14:18 研究论文 具有侧向双栅极的高性能超薄体超薄盒式绝缘体上硅MOSFET的分析:具有抑制DIBL的功能 立即下载