具有侧向双栅极的高性能超薄体超薄盒式绝缘体上硅MOSFET的分析：具有抑制DIBL的功能

【文件属性】：

文件名称：具有侧向双栅极的高性能超薄体超薄盒式绝缘体上硅MOSFET的分析：具有抑制DIBL的功能

文件大小：1.87MB

文件格式：PDF

更新时间：2024-05-03 16:00:58

研究论文

具有侧向双栅极的高性能超薄体超薄盒式绝缘体上硅MOSFET的分析：具有抑制DIBL的功能