具有侧向双栅极的高性能超薄体超薄盒式绝缘体上硅MOSFET的分析:具有抑制DIBL的功能

时间:2021-04-13 22:14:18
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文件名称:具有侧向双栅极的高性能超薄体超薄盒式绝缘体上硅MOSFET的分析:具有抑制DIBL的功能
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更新时间:2021-04-13 22:14:18
研究论文 具有侧向双栅极的高性能超薄体超薄盒式绝缘体上硅MOSFET的分析:具有抑制DIBL的功能

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