文件名称：开启充电MOSFET-gearman::xs在centos下的编译安装方法
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更新时间：2024-07-15 00:47:59
309 SH3673
Table 8.20 系统配置寄存器1 00H 第7位 第6位 第5位 第4位 第3位 第2位 第1位 第0位 SCONF1 ENPCH ENMOS OCPM BAL CN3 CN2 CN1 CN0 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 位编号 位符号 说明 5 OCPM 电流保护MOSFET控制位 0：充电过流只关闭充电MOSFET；放电过流/短路只关闭放电MOSFET 1：电流保护关闭充放电MOSFET 8.5 温度保护 温度保护包括充电高温保护、充电低温保护、放电高温保护以及放电低温保护。 8.5.1 充电高温保护 同时满足下述条件时，SH367309进入充电高温保护状态： (1) 任意温度点温度高于充电高温保护温度TOTC (2) 状态(1)持续时间超过温度保护延时tT SH367309处于充电高温保护状态时，执行下述动作： (1) 关闭充电MOSFET (2) BSTATUS2寄存器中OTC状态位置1 (3) BFLAG2寄存器中OTC_FLG标志位置1 同时满足下述条件时，SH367309退出充电高温保护状态： (1) 所有温度点温度低于充电高温恢复温度TOTCR (2) 状态(1)持续时间超过温度保护延时tT SH367309退出充电高温保护状态时，执行下述动作： (1) 开启充电MOSFET (2) BSTATUS2寄存器中OTC状态位清0 8.5.2 充电低温保护 同时满足下述条件时，SH367309进入充电低温保护状态： (1) 任意温度点温度低于充电低温保护温度TUTC (2) 状态(1)持续时间超过温度保护延时tT SH367309处于充电低温保护状态时，执行下述动作： (1) 关闭充电MOSFET (2) BSTATUS2寄存器中UTC状态位置1 (3) BFLAG2寄存器中UTC_FLG标志位置1 同时满足下述条件时，SH367309退出充电低温保护状态： (1) 所有温度点温度高于充电低温恢复温度TUTCR (2) 状态(1)持续时间超过温度保护延时tT SH367309退出充电低温保护状态时，执行下述动作： (1) 开启充电MOSFET (2) BSTATUS2寄存器中UTC状态位清0