文件名称：关闭放电MOSFET-gearman::xs在centos下的编译安装方法
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更新时间：2024-07-15 00:47:51
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Table 8.3 过充电保护设置EEPROM寄存器 02H，03H 第7位 第6位 第5位 第4位 第3位 第2位 第1位 第0位 OVH OVT3 OVT2 OVT1 OVT0 LDRT1 LDRT0 OV.9 OV.8 OVL OV.7 OV.6 OV.5 OV.4 OV.3 OV.2 OV.1 OV.0 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 位编号 位符号 说明 7:4 OVT3~OVT0 过充电保护延时设置控制位 OVT[3:0] = 0000：过充电保护延时 = 100mS OVT[3:0] = 0001：过充电保护延时 = 200mS OVT[3:0] = 0010：过充电保护延时 = 300mS OVT[3:0] = 0011：过充电保护延时 = 400mS OVT[3:0] = 0100：过充电保护延时 = 600mS OVT[3:0] = 0101：过充电保护延时 = 800mS OVT[3:0] = 0110：过充电保护延时 = 1S OVT[3:0] = 0111：过充电保护延时 = 2S OVT[3:0] = 1000：过充电保护延时 = 3S OVT[3:0] = 1001：过充电保护延时 = 4S OVT[3:0] = 1010：过充电保护延时 = 6S OVT[3:0] = 1011：过充电保护延时 = 8S OVT[3:0] = 1100：过充电保护延时 = 10S OVT[3:0] = 1101：过充电保护延时 = 20S OVT[3:0] = 1110：过充电保护延时 = 30S OVT[3:0] = 1111：过充电保护延时 = 40S 1:0 7:0 OV.9~OV.0 过充电保护电压，计算方式：VOV =寄存器值×5mV Table 8.4 过充电恢复设置EEPROM寄存器 04H，05H 第7位 第6位 第5位 第4位 第3位 第2位 第1位 第0位 OVRH UVT3 UVT2 UVT1 UVT0 - - OVR.9 OVR.8 OVRL OVR.7 OVR.6 OVR.5 OVR.4 OVR.3 OVR.2 OVR.1 OVR.0 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 位编号 位符号 说明 3:2 - Reserved 1:0 7:0 OVR.9~OVR.0 过充电恢复电压，计算方式：VOVR=寄存器值×5mV(VOVR＜ VOV) 8.3 过放电保护 同时满足下述条件时，SH367309进入过放电保护状态： (1) 任意电芯电压低于过放电保护电压VUV (2) 状态(1)持续时间超过过放电保护延时tUV SH367309处于过放电保护状态时，执行下述动作： (1) 关闭放电MOSFET (2) BSTATUS1寄存器中UV状态位置1 (3) BFLAG1寄存器中UV_FLG标志位置1