文件名称：关闭充电MOSFET-gearman::xs在centos下的编译安装方法
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更新时间：2024-07-15 00:47:54
309 SH3673
Table 8.10 过放电恢复电压设置寄存器 07H 第7位 第6位 第5位 第4位 第3位 第2位 第1位 第0位 UVR UVR.7 UVR.6 UVR.5 UVR.4 UVR.3 UVR.2 UVR.1 UVR.0 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 位编号 位符号 说明 7:0 UVR.7~UVR.0 过放电恢复电压，计算方式：VUVR =寄存器值×20mV(VUVR > VUV) 8.4 电流保护 SH367309内置三档放电过流保护以及一档充电过流保护，统称为电流保护。放电过流1保护和放电过流2保护的操作方法和 执行动作一致，故以放电过流保护1为例介绍。 8.4.1 放电过流1保护 同时满足下述条件时，SH367309进入放电过流1保护状态： (1) RS2-RS1的电压值大于VDOC1 (2) 状态(1)持续时间超过放电过流1保护延时tDOC1 SH367309处于放电过流1保护状态时，执行下述动作： (1) 关闭放电MOSFET (2) BSTATUS1寄存器中OCD1状态位置1 (3) BFLAG1寄存器中OCD_FLG标志位置1 同时满足下述条件时，SH367309退出放电过流1保护状态： (1) 负载断开 (DSGD管脚电平低于VDSGD) (2) 状态(1)持续时间超过负载释放延时tD1 8.4.2 短路保护 同时满足下述条件时，SH367309进入短路保护状态： (1) RS2-RS1的电压值大于VDOC3 (2)状态(1)持续时间超过放电过流3保护延时tDOC3 SH367309处于短路保护状态时，执行下述动作： (1) 关闭放电MOSFET (2) BSTATUS1寄存器中SC状态位置1 (3) BFLAG1寄存器中SC_FLG标志位置1 同时满足下述条件时，SH367309退出短路保护状态： (1) 负载断开 (DSGD管脚电平低于VDSGD) (2) 状态(1)持续时间超过负载释放延时tD1 8.4.3 充电过流保护 同时满足下述条件时，SH367309进入充电过流保护状态： (1) RS2-RS1的电压值小于VCOC (2)状态(1)持续时间超过充电过流保护延时tCOC SH367309处于充电过流保护状态时，执行下述动作： (1) 关闭充电MOSFET (2) BSTATUS1寄存器中OCC状态位置1 (3) BFLAG1寄存器中OCC_FLG标志位置1 同时满足下述条件时，SH367309退出充电过流保护状态： (1) 充电器断开 (CHGD管脚电平高于VCHGD2) (2) 状态(1)持续时间超过延时tD2 注释：VDOC1、tDOC1、VDOC2、tDOC2、VDOC3、tDOC3、VCOC以及tCOC可在EEPROM内设置。