文件名称：基于调制光谱研究GaN的光学特性 (2013年)
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更新时间：2024-05-31 07:55:49
自然科学 论文
利用调制光谱技术研究了以分子柬磊晶法成长于GaAs基板上的GaN薄膜的光学特性。结果表明，在PR、CER及PzR谱线中均可观察到激子跃迁信号E0与旋轨道分裂信号(E0+△0)，且分裂量△0约为22 meV。在15～300 K的温度范围内均可观测到激子跃迁信号 E0、自旋轨道分裂信号(E0+△0)及DA-Pair信号；但温度在400 K和500 K时谱线中只存在激子跃迁信号E0与DA-Pair信号，而观察不到信号(E0+△0)。随着温度的升高，样品的跃迁信号E0与自旋轨道分裂信号(E0+△0)逐渐向低能量反