两种H形管的抗总剂量性能仿真研究 (2014年)

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文件名称：两种H形管的抗总剂量性能仿真研究 (2014年)

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更新时间：2024-06-08 21:20:05

工程技术 论文

为了研究0.13 μ m体硅工艺的抗总剂量效应加固，分别对两种结构的H形管的性能做了仿真研究。仿真结果表明，两种结构的H形管有基本相同的转移特性曲线，但有一种结构的H形管有较大的饱和电流；同时，此结构的H形管还有较强的抗总剂量性能，可考虑在抗辐照要求的集成电路中使用。