InGaAs探测器总剂量辐照性能试验分析? (2015年)

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文件名称：InGaAs探测器总剂量辐照性能试验分析? (2015年)
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更新时间：2021-06-12 04:29:12
工程技术 论文 针对Xenics 公司的一款InGaAs 探测器，根据载荷工作环境要求，轨道高度700km，在轨工作3 年的总剂量辐射为2 krad( Si) ，技术指标要求探测器的抗总剂量辐射能力要在10 krad( Si)以上。因此对其进行总剂量为30 krad( Si)的60Co-γ辐射试验[1-2]。对比辐照前后探测器的参数变化，发现随着总剂量的增加，探测器的暗电流有所增大，响应度有所降低，整体性能略有下降，但满足指标要求。分析γ辐射对探测器影响的内在机理，为后续InGaAs探测器抗总剂量辐射加固提供依据和参考。