一种抗总剂量辐照的NMOSFETs (2004年)

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文件名称：一种抗总剂量辐照的NMOSFETs (2004年)

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更新时间：2024-05-28 20:22:21

工程技术 论文

在商用SIMOX衬底上制备了抗辐照NMOSFETs，使用的主要技术手段有：氮化H2-O2合成栅介质加固正栅；增加体区掺杂，以提高背栅阈值电压；采用C型体接触结构，消除边缘寄生晶体管。结果表明，在经受1×106rad（Si）的辐照后，器件特性没有明显恶化。